Zn 2+ Engineered Low‐Barrier LiNbO 3 Enables Visible‐Light Programmable Ferroelectric Memristors for Noise‐Immune Neuromorphic Vision

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标题	Zn 2+ Engineered Low‐Barrier LiNbO 3 Enables Visible‐Light Programmable Ferroelectric Memristors for Noise‐Immune Neuromorphic Vision 相关领域材料科学光电子学神经形态工程学铁电性记忆电阻器极化（电化学）电压光子上转换非易失性存储器带隙可见光谱光学计算铌酸锂人工神经网络 MNIST数据库光开关内容寻址存储器稳健性（进化）限制高效能源利用低压电子工程
网址	https://doi.org/10.1002/adma.202511352
DOI	10.1002/adma.202511352 doi
其它	期刊：Advanced Materials 作者：Yifei Pei; Yufei Shang; Gongjie Liu; Shuang Ma; Molan Guo; et al 出版日期：2026-01-22
求助人	woy031222 在 2026-02-01 11:25:50 发布自安徽，悬赏 10 积分
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