标题 |
[求助补充材料] Impact of defects on Auger recombination in c-plane InGaN/GaN single quantum well in the efficiency droop regime
相关领域
材料科学
光电子学
俄歇效应
量子阱
电压降
螺旋钻
发光二极管
光致发光
重组
凝聚态物理
量子点
宽禁带半导体
量子效率
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:W. Liu; C. Haller; Y. Chen; T. Weatherley; J.-F. Carlin; et al 出版日期:2020 |
求助人 |
jacob258 在
2021-03-30 14:41:43 发布,悬赏 10 积分
|
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|