标题 |
Abnormal threshold voltage shift by the effect of H2O during negative bias stress in amorphous InGaZnO thin film transistors
相关领域
薄膜晶体管
阈值电压
离解(化学)
无定形固体
材料科学
离子
俘获
电场
分析化学(期刊)
晶体管
化学
电压
图层(电子)
结晶学
电气工程
纳米技术
物理
物理化学
工程类
有机化学
生物
量子力学
色谱法
生态学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Solid-state Electronics 作者:Tae-Kyoung Ha; Yongjo Kim; SangHee Yu; GwangTae Kim; Hoon Eui Jeong; et al 出版日期:2020-12-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|