标题 |
Anisotropic-strain-enhanced hole mobility in GaN by lattice matching to ZnGeN2 and MgSiN2
相关领域
材料科学
电子迁移率
氮化镓
格子(音乐)
凝聚态物理
有效质量(弹簧-质量系统)
外延
镓
各向异性
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网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Joshua Leveillee; Samuel Poncé; Nicholas L. Adamski; Chris G. Van de Walle; Feliciano Giustino 出版日期:2022 |
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