Tunable infrared photoemission sensor on silicon using SiGe/Si and silicide/Si epitaxial layers

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标题	[高分] Tunable infrared photoemission sensor on silicon using SiGe/Si and silicide/Si epitaxial layers 相关领域光电流材料科学光电子学异质结硅化物硅兴奋剂肖特基势垒矩形势垒图层（电子）外延电极红外线的阻挡层光电导性带隙光学纳米技术化学物理物理化学二极管
网址	https://doi.org/10.1051/jp4:1994622
DOI	10.1051/jp4:1994622 doi
其它	期刊：Journal de Physique IV (Proceedings) 作者：I. Sagnes; Charles Renard; P. A. Badoz 出版日期：1994-06-01
求助人	阿木在 2025-10-29 20:18:00 发布自宁夏，悬赏 50 积分
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