Improvement of Properties of GaAs-based Dilute Nitrides by Beryllium Doping

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标题	Improvement of Properties of GaAs-based Dilute Nitrides by Beryllium Doping 铍掺杂对GaAs基稀氮化物性能的改善相关领域材料科学铍兴奋剂氮化物工程物理光电子学纳米技术核物理学物理图层（电子）
网址	https://doi.org/10.3788/fgxb20173808.1056
DOI	10.3788/fgxb20173808.1056 doi
其它	期刊：Chinese Journal of Luminescence 作者：霍大云 HUO Da-yun; 石震武 SHI Zhen-wu; 徐超 Xu Chao; 邓长威 DENG Chang-wei; 陈晨 Chen Chen; et al 出版日期：2017-01-01
求助人	儒雅凛在 2025-06-12 09:38:21 发布自山西，悬赏 10 积分
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