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Heating Rate Dependence of the Mechanisms of Copper Pumping in Through-Silicon Vias 硅通孔中铜泵浦机制的升温速率依赖性
相关领域
材料科学
铜
晶界
温度循环
硅
模具(集成电路)
电子背散射衍射
热膨胀
通过硅通孔
复合材料
晶界滑移
热的
冶金
微观结构
纳米技术
热力学
物理
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期刊:Journal of Electronic Materials 作者:Hanry Yang; Tae-Kyu Lee; L. Meinshausen; I. Dutta 出版日期:2018-11-21 |
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