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Investigation into the performance and surge current robustness of 1200V SiC MOSFETs with different JFET doping designs
相关领域
JFET公司 材料科学 兴奋剂 光电子学 稳健性（进化） 浪涌 碳化硅 电子工程 电气工程 电压 场效应晶体管 晶体管 复合材料 工程类 生物化学 化学 基因
网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.109730
DOI
10.1016/j.mssp.2025.109730 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：Yuhan Duan; Jiuyang Tang; Pan Liu; Qingchun Jon Zhang
出版日期：2025-06-23
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研友_nxwRxL 在 2025-11-12 11:04:40 发布，悬赏 10 积分
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