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 Study on the Vt Variation of TiN-metal Buried-gate (BG) Cell Transistors in DRAM 相关领域
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期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Tae Su Jang; Sung-Kil Chun; Seong‐Wan Ryu; Min‐Soo Yoo; Deuk-Sung Choi 出版日期：2011-08-05 |
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