Argon implanted SiC device edge termination: Modelling, analysis and experimental results

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标题	Argon implanted SiC device edge termination: Modelling, analysis and experimental results
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	Conference: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 1995 Volume: 142
求助人	Rose 在 2025-10-31 14:43:31 发布自安徽，悬赏 10 积分
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