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 First Demonstration of Interface-Enhanced SAF Enabling 400°C-Robust 42 nm p-SOT-MTJ Cells with STT-Assisted Field-Free Switching and Composite Channels 首次演示界面增强型SAF，实现400°C鲁棒42 nm p-SOT-MTJ电池，具有STT辅助的无场开关和复合通道
相关领域
材料科学
隧道磁电阻
磁电阻
旋转扭矩传递
磁场
铁磁性
磁阻随机存取存储器
光电子学
联轴节（管道）
凝聚态物理
复合材料
图层（电子）
磁化
计算机科学
随机存取存储器
物理
量子力学
计算机硬件
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| 其它 |
期刊：Symposium on VLSI Technology 作者：Ya-Jui Tsou; Kai‐Shin Li; Jia‐Min Shieh; Wei J. Chen; Hsiu-Chih Chen; et al 出版日期：2021-06-13 |
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