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 Strain, stress, and mechanical relaxation in fin-patterned Si/SiGe multilayers for sub-7 nm nanosheet gate-all-around device technology 相关领域
材料科学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：S. Reboh; R. Coquand; Sylvain Barraud; N. Loubet; Nicolas Bernier; et al 出版日期：2018-01-29 |
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