Beyond 10 μm Depth Ultra-High Speed Etch Process with 84% Lower Carbon Footprint for Memory Channel Hole of 3D NAND Flash over 400 Layers

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标题	Beyond 10 μm Depth Ultra-High Speed Etch Process with 84% Lower Carbon Footprint for Memory Channel Hole of 3D NAND Flash over 400 Layers
网址	https://doi.org/10.23919/VLSITechnologyandCir57934.2023.1018...
DOI	10.23919/VLSITechnologyandCir57934.2023.10185160 doi
其它	期刊：2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Yoshihide Kihara; Maju Tomura; Wataru Sakamoto; Masanobu Honda; Masayuki Kojima 出版日期：2023
求助人	one8only 在 2026-03-24 10:43:15 发布自湖北，悬赏 10 积分
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