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Breaking the p-type doping barrier in β-Ga2O3: a GaN-based heterojunction bipolar transistor with high gain, high breakdown, and RF capability
打破β-Ga2O3中的p型掺杂势垒：一种具有高增益、高击穿和射频能力的GaN基异质结双极晶体管
网址
https://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2025/ra/d5ra07197...
AI链接 rsc.org rsc.org nih.gov nih.govdoi.org
DOI
10.1039/d5ra07197f doi
其它 期刊：RSC Advances
作者：Phuc Hong Than; Tho Quang Than; Yasushi Takaki
出版日期：2025-01-01
求助人
憨憨 在 2025-12-02 21:01:01 发布自上海，悬赏 10 积分
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