On the Feasibility of 1T Ferroelectric FET Memory Array

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标题	On the Feasibility of 1T Ferroelectric FET Memory Array 1T铁电场效应管存储器阵列的可行性研究相关领域符号计算机科学算法拓扑（电路）电气工程数学算术工程类
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2022.3216819
DOI	10.1109/ted.2022.3216819 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhouhang Jiang; Zijian Zhao; Shan Deng; Yi Xiao; Yixin Xu; et al 出版日期：2022-11-04
求助人	Sally 在 2025-12-09 17:11:40 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

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