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Surface potential and mobile charge based drain current modeling of double gate junctionless accumulation mode negative capacitance field effect transistor 基于表面电位和移动电荷的双栅无结累积模式负电容场效应晶体管漏极电流建模
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期刊:International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者:Snehlata Yadav; Sonam Rewari; Rajeshwari Pandey 出版日期:2023-09-11 |
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