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标题
Study of Dopant Activation in Arsenic-Implanted Laser Annealed Si By Differential Hall Effect Metrology (DHEM)
用差分霍尔效应计量(DHEM)研究掺砷激光退火硅中掺杂剂的活化
相关领域
掺杂剂 霍尔效应 材料科学 退火（玻璃） 计量学 CMOS芯片 光电子学 兴奋剂 砷 电阻率和电导率 激光器 掺杂剂活化 分析化学（期刊） 冶金 光学 化学 电气工程 环境化学 物理 工程类
网址
https://iopscience.iop.org/article/10.1149/10904.0329ecst
DOI
10.1149/10904.0329ecst doi
其它 期刊：ECS Transactions
作者：Abhijeet Joshi; Toshiyuki Tabata; Fabien Roze; Bulent M Basol
出版日期：2022-09-30
求助人
AARON 在 2025-11-02 00:59:16 发布自广东，悬赏 10 积分
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