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 Back-Channel Defect Termination by Sulfur for p-Channel Cu2O Thin-Film Transistors p沟道Cu2O薄膜晶体管的硫终止后沟道缺陷
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Hsuan Chang; Chi‐Hsin Huang; Kosuke Matsuzaki; Kenji Nomura 出版日期：2020-11-04 |
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