标题 |
Coexistence of Small Threshold Voltage Instability and High Channel Mobility in 4H-SiC($000\bar{1}$) Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
相关领域
MOSFET
凝聚态物理
跨导
电子迁移率
半导体
频道(广播)
负偏压温度不稳定性
兴奋剂
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DOI | |
其它 |
期刊:Applied Physics Express 作者:Mitsuo Okamoto; Youichi Makifuchi; Miwako Iijima; Yoshiyuki Sakai; Noriyuki Iwamuro; et al 出版日期:2012 |
求助人 |
妞妞 在
2021-04-08 13:20:58 发布,悬赏 10 积分
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