标题 |
A highly symmetrical 10 transistor 2-read/write dual-port static random access memory bitcell design in 28 nm high-k/metal-gate planar bulk CMOS technology
相关领域
光电子学
材料科学
晶体管
CMOS芯片
薄膜晶体管
平面的
金属浇口
高-κ电介质
计算机科学
电气工程
制作
静态随机存取存储器
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网址 | |
DOI |
10.7567/jjap.57.04fb10
doi
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其它 |
期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Yuichiro Ishii; Miki Tanaka; Makoto Yabuuchi; Yohei Sawada; Shinji Tanaka; et al 出版日期:2018 |
求助人 | |
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