9.3: High Mobility and Stability Indium Oxide Thin‐film Transistor with Praseodymium and Hetero‐valence Tungsten Doping

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标题	9.3: High Mobility and Stability Indium Oxide Thin‐film Transistor with Praseodymium and Hetero‐valence Tungsten Doping 9.3：掺镨和杂价钨的高迁移率和稳定性氧化铟薄膜晶体管相关领域材料科学镨铟兴奋剂光电子学工程物理纳米技术工程类冶金
网址	https://doi.org/10.1002/sdtp.16231
DOI	10.1002/sdtp.16231 doi
其它	期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 作者：Honglong Ning; Yuexin Yang; Zhihao Liang; Yubin Fu; Wei Cai; et al 出版日期：2023-04-01
求助人	小羊在 2025-09-11 21:52:47 发布自福建，悬赏 10 积分
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