| 标题 |
  Average Temperature Determination of AlGaN/GaN HEMT Utilizing Pinch-Off Voltage Biasing 利用夹断电压偏置确定AlGaN/GaN HEMT的平均温度
相关领域
高电子迁移率晶体管
等温过程
偏压
材料科学
电压
光电子学
掐
饱和（图论）
电气工程
电子工程
物理
分析化学（期刊）
数学
热力学
化学
晶体管
工程类
量子力学
组合数学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：M. Florovič; Jaroslav Kováč; Aleš Chvála; Jaroslav Kováč; J. -C. Jacquet; et al 出版日期：2023-10-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
Criminology34
GingerF
ASD
David
你嵙这个期刊没买
竹筏过海
寻道图强
tuanheqi
优美的小笨蛋
嘻嘻哈哈
elliotzzz
Progie
从容芮
ccm
Mollyxueyue
erg
YifanWang
无极微光
刻苦的念柏
avalanche
mmyhn
9527
xxfsx
皖公网安备34019202002308
