标题 |
Line end shortening and iso-dense etch bias improvement by ALD spacer shrink process
相关领域
材料科学
进程窗口
光电子学
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光刻
制作
涂层
光刻胶
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DOI |
10.1117/12.2260450
doi
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其它 |
期刊:Advances in Patterning Materials and Processes XXXIV 作者:Christoph K. Hohle; Roel Gronheid; Rui Chen; Granger Lobb; Aleksandra Clancy; et al 出版日期:2017 |
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