| 标题 |
 Reliability Issues of SiC MOSFETs: A Technology for High-Temperature Environments 相关领域
材料科学
碳化硅
电容器
可靠性（半导体）
氧化物
光电子学
工程物理
硅
随时间变化的栅氧化层击穿
MOSFET
介电强度
电介质
晶体管
电场
电气工程
压力（语言学）
功率半导体器件
功率MOSFET
阈值电压
负偏压温度不稳定性
栅氧化层
电压
功率（物理）
复合材料
工程类
物理
哲学
冶金
量子力学
语言学
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| DOI |
10.1109/TDMR.2010.2077295
doi
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Liangchun C. Yu; Greg T. Dunne; Kevin S. Matocha; Kin P. Cheung; John S. Suehle; Kuang Sheng 出版日期：2010 |
| 求助人 |
妞妞 在
2021-04-08 13:26:42 发布，悬赏 10 积分
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