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 Over 1200 V Normally-OFF p-NiO Gated AlGaN/GaN HEMTs on Si With a Small Threshold Voltage Shift Si上1200 V以上常闭p-NiO栅极AlGaN/GaN HEMT，阈值电压偏移小
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Hui Guo; Hehe Gong; Pengfei Shao; Xinxin Yu; Jin Wang; et al 出版日期：2021-12-22 |
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