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 Ge-doping in polycrystalline GaN layer through electron beam evaporator deposition with successive ammonia annealing 相关领域
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期刊：Applied Physics A 作者：Noratiqah Yusop; S.N. Waheeda; Ezzah Azimah Alias; M.E.A. Samsudin; M. Ikram Md Taib; et al 出版日期：2024-11-18 |
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