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Demonstration of Effective Intrinsic Electron Velocity >107 cm/s in Ultrawide Bandgap Al₀.₆₄Ga₀.₃₆N Channel HEMTs 超宽带隙Al₀.₆₄Ga₀.₃₆N沟道HEMTs中有效本征电子速度>107 cm/s的演示
相关领域
光电子学
带隙
宽禁带半导体
频道(广播)
电子
物理
砷化镓
凝聚态物理
材料科学
电气工程
工程类
量子力学
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| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Parthasarathy Seshadri; Jiahao Chen; Kenneth Stephenson; Md Abdullah Mamun; Ruixin Bai; et al 出版日期:2024-10-03 |
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