Investigation of Multi-Material Barrier GaN-based High Electron Mobility Transistors with Double-Deck Gate Field Plate

求助中

文献求助详情

标题	Investigation of Multi-Material Barrier GaN-based High Electron Mobility Transistors with Double-Deck Gate Field Plate
网址	https://doi.org/10.1134/S1063782625600731
DOI	10.1134/S1063782625600731 doi
其它	期刊：Semiconductors 作者：Pichingla Kharei; Achinta Baidya; Niladri Pratap Maity; Reshmi Maity 出版日期：2025
求助人	复杂的元珊在 2025-11-12 13:58:58 发布，悬赏 10 积分
下载	暂无链接，等待应助者上传

上个求助

下个求助

提交工单

求助 / 应助时间线

现在，等待您上传文献

对不起，您需要登录才可以上传文件。
进入登录页面
3小时前

科研通AI2.0 机器人未找到该文献，机器人已退出，请等待人工下载

13:59:03 未找到该文献，机器人已退出，请等待人工下载

13:58:59 科研通AI机器人（日本东京）收到请求，开始寻找文献

13:58:58 已向机器人发送请求
3小时前

复杂的元珊 Lv02 求助人发起了本次求助

我的文献求助列表浏览历史

一分钟了解求助规则 | 捐赠本站 | 历史今天

更新

2025年影响因子查询已上线 (2025-6-18)

更新

PDF的下载单位、IP信息已删除 (2025-6-4)

科研通是完全免费的文献互助平台，具备全网最快的应助速度，最高的求助完成率。对每一个文献求助，科研通都将尽心尽力，给求助人一个满意的交代。

实时播报: Criminology34上传了应助文件

1秒前; 小蘑菇的应助被gyh采纳，获得10

1秒前; 元子发布了新的文献求助10

1秒前; 老福贵儿上传了应助文件

2秒前; 飞飞飞发布了新的文献求助10

2秒前; 固态锂电完成签到，获得积分10

2秒前; 桐桐的应助被每天100次采纳，获得10

2秒前; 充电宝的应助被Sandro采纳，获得10

3秒前; hay完成签到，获得积分10

3秒前; Rico发布了新的文献求助10

3秒前; 浮游的应助被ilmiss采纳，获得10

4秒前; goldNAN关闭了goldNAN的文献求助

4秒前; 浮浮世世的应助被2Rui采纳，获得50

5秒前; NexusExplorer的应助被洁面乳采纳，获得10

6秒前; tonyfountain发布了新的文献求助10

7秒前; 黄玉完成签到，获得积分10

8秒前; NexusExplorer上传了应助文件

9秒前; ding上传了应助文件

10秒前; 英吉利25发布了新的文献求助50

11秒前; Criminology34上传了应助文件

11秒前; 行星一只兔发布了新的文献求助30

12秒前; 十三发布了新的文献求助10

14秒前; tt413dd完成签到，获得积分10

15秒前; 虚心怜阳完成签到，获得积分10

16秒前; 田様上传了应助文件

16秒前; 上官若男的应助被Rico采纳，获得10

17秒前; Jasper的应助被bc采纳，获得10

18秒前; STP顶峰相见发布了新的文献求助50

18秒前; 脑洞疼的应助被Qinghen采纳，获得10

19秒前; 小小完成签到，获得积分10

19秒前; Owen的应助被十三采纳，获得10

19秒前; 搜集达人上传了应助文件

19秒前; Criminology34上传了应助文件

20秒前; Goahead关闭了Goahead的文献求助

20秒前; 曦耀完成签到，获得积分10

21秒前; 研友_VZG7GZ上传了应助文件

21秒前; tonyfountain发布了新的文献求助10

22秒前; 奋斗灵珊发布了新的文献求助10

23秒前; 彭于晏的应助被liuliu采纳，获得30

24秒前; 搜集达人上传了应助文件

24秒前