Room‐Temperature WSe2 Impact Ionization Field‐Effect Transistor Based on a Stepwise Homojunction

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标题	Room‐Temperature WSe2 Impact Ionization Field‐Effect Transistor Based on a Stepwise Homojunction 基于阶梯式同质结的室温WSe2冲击电离场效应晶体管
网址	https://doi.org/10.1002/smll.202412466
DOI	10.1002/smll.202412466 doi
其它	期刊：Small 作者：Yue Chen; Wenrui Wei; Hailu Wang; Yuzhuo Bai; Tao Zhang; et al 出版日期：2025
求助人	田南松在 2025-04-07 19:20:18 发布自上海，悬赏 10 积分
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