A rhombohedral ferroelectric phase in epitaxially strained Hf0.5Zr0.5O2 thin films

铁电性 材料科学 正交晶系 外延 薄膜 纳米尺度 极化(电化学) 多铁性 纳米技术 光电子学 相(物质) 结晶学 晶体结构 电介质 化学 物理化学 有机化学 图层(电子)
作者
Yingfen Wei,Pavan Nukala,Mart Salverda,Sylvia Matzen,Hong Jian Zhao,Jamo Momand,Arnoud S. Everhardt,Guillaume Agnus,Graeme R. Blake,Philippe Lecoeur,Bart J. Kooi,Jorgé Íñiguez,Brahim Dkhil,Beatriz Noheda
出处
期刊:Nature Materials [Springer Nature]
卷期号:17 (12): 1095-1100 被引量:310
标识
DOI:10.1038/s41563-018-0196-0
摘要

After decades of searching for robust nanoscale ferroelectricity that could enable integration into the next generation memory and logic devices, hafnia-based thin films have appeared as the ultimate candidate because their ferroelectric (FE) polarization becomes more robust as the size is reduced. This exposes a new kind of ferroelectricity, whose mechanism still needs to be understood. Towards this end, thin films with increased crystal quality are needed. We report the epitaxial growth of Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) thin films on (001)-oriented La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3 (STO) substrates. The films, which are under epitaxial compressive strain and are predominantly (111)-oriented, display large FE polarization values up to 34 {\mu}C/cm2 and do not need wake-up cycling. Structural characterization reveals a rhombohedral phase, different from the commonly reported polar orthorhombic phase. This unexpected finding allows us to propose a compelling model for the formation of the FE phase. In addition, these results point towards nanoparticles of simple oxides as a vastly unexplored class of nanoscale ferroelectrics.
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