Comparative study of quasi-static and normal capacitance–voltage characteristics in amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide thin film transistors

薄膜晶体管 材料科学 无定形固体 光电子学 晶体管 电容 阈值电压 氧化物 图层(电子) 电压 电气工程 纳米技术 化学 电极 结晶学 冶金 工程类 物理化学
作者
Sangwon Lee,Yong Woo Jeon,Sung‐Chul Kim,Dongsik Kong,Dae Hwan Kim,Dong Myong Kim
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier BV]
卷期号:56 (1): 95-99 被引量:18
标识
DOI:10.1016/j.sse.2010.10.016

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