电子迁移率
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作者
Shigeki Tokuchi,Ryo Shiranita,Kyosuke Teramura,Mamoru Furuta
摘要
We proposed high mobility In‐Zn‐O‐X system, in which X is added to control carrier density. Choosing favorable X additives and optimizing the composition are keys to achieve high mobility. We have demonstrated Thin‐Film Transistor with its mobility over 60 cm 2 /Vs, and that would be useful for high‐definition display.
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