SciHub
文献互助
期刊查询
一搜即达
科研导航
即时热点
交流社区
登录
注册
发布
文献
求助
首页
我的求助
捐赠本站
清晨好,您是今天最早来到科研通的研友!由于当前在线用户较少,发布求助请尽量完整的填写文献信息,科研通机器人24小时在线,伴您科研之路漫漫前行!
zrp1911
Lv6
2625 积分
2020-09-12 加入
最近求助
最近应助
互助留言
A Universal SPICE Field-Effect Transistor Model Applied on SiC and GaN Transistors
1个月前
已完结
A Width-Scalable SPICE Model of GaN-HEMTs for X-band RF Applications
1个月前
已完结
Charge compensation impact on the access region resistance in AlGaN/GaN devices
2个月前
已完结
Study of Drain Access Resistance in Saturation Region of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors
2个月前
已完结
An estimation of 2DEG density for GaN HEMT using analytical equation considering the charge conservation low
3个月前
已完结
Direct parameter extraction method of EEHEMT nonlinear model for InP HEMT
5个月前
已完结
Extracting the parameters of an EEHEMT nonlinear model for InP HEMT operating at G-band frequency
5个月前
已关闭
Modeling of High Frequency and High Efficiency GaN HEMT Power Amplifiers Based on the Developed Transistor Model (EEHEMT)
5个月前
已关闭
Electrothermal and large-signal modeling of switchmode AlGaN/GaN HEMTs
1年前
已关闭
An Improved Compact Large-Signal GaN HEMT Model for Switch Application
1年前
已完结
没有进行任何应助
感谢,速度真快
1个月前
感谢,速度真快
1个月前
感谢,点赞,速度真快
2个月前
感谢,点赞,速度真快
2个月前
感谢,点赞
3个月前
非常感谢
5个月前
文献内容已查阅到【积分已退回】
5个月前
文件内容为空,缺页
5个月前
感谢,点赞,速度真快,帮大忙了
1年前
感谢,点赞,速度真快
1年前
最近帖子
最近评论
没有发布任何帖子
没有发布任何评论