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万物皆可面条
Lv1
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2026-03-22 加入
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High-voltage vertical GaN trench MOSFETs with rounded trench corners for improved breakdown voltage
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1.8 mΩ·cm2vertical GaN-based trench metal–oxide–semiconductor field-effect transistors on a free-standing GaN substrate for 1.2-kV-class operation
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