SciHub
文献互助
期刊查询
一搜即达
科研导航
即时热点
交流社区
登录
注册
发布
文献
求助
首页
我的求助
捐赠本站
阳光雨南
Lv1
60 积分
2023-02-18 加入
最近求助
最近应助
互助留言
Sub-10 nm Nanopattern Architecture for 2D Material Field-Effect Transistors
8小时前
已完结
Performance Upper Limit of sub‐10 nm Monolayer MoS2 Transistors
1年前
已完结
Sub-5 nm Monolayer MoS2 Transistors toward Low-Power Devices
1年前
已完结
没有进行任何应助
感谢，点赞，速度真快，帮大忙了，么么哒
1年前
感谢，点赞，速度真快，帮大忙了
1年前
最近帖子
最近评论
没有发布任何帖子
没有发布任何评论
Sub-10 nm Nanopattern Architecture for 2D Material Field-Effect Transistors
Performance Upper Limit of sub‐10 nm Monolayer MoS2 Transistors
皖公网安备34019202002308
