Can Interface Layer be Really Free for HfxZr1-xO2 Based Ferroelectric Field-Effect Transistors With Oxide Semiconductor Channel?

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标题	Can Interface Layer be Really Free for HfxZr1-xO2 Based Ferroelectric Field-Effect Transistors With Oxide Semiconductor Channel? 具有氧化物半导体沟道的HfxZr1-xO2基铁电场效应晶体管的界面层真的可以自由吗？相关领域铁电性场效应晶体管材料科学晶体管氧化物极化（电化学）光电子学硅电气工程化学电介质电压物理化学工程类冶金
网址	http://dx.doi.org/10.1109/LED.2024.3355523
DOI	10.1109/LED.2024.3355523 doi
求助人	ouwen 在 2024-05-18 10:38:09 发布自河北，悬赏 10 积分
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