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 Low-frequency noise characterization of AlGaN/GaN HEMTs with and without a p-GaN gate layer 具有和不具有p-GaN栅层的AlGaN/GaN HEMTs低频噪声特性
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期刊：Semiconductor science and technology 作者：Shih-Sheng Yang; Yue‐Ming Hsin 出版日期：2021-11-15 |
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