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A Sub-1 V Capacitively Biased BJT-Based Temperature Sensor With an Inaccuracy of ±0.15 °C (3σ) From—55 °C to 125 °C
-55℃~125℃范围内误差为±0.15℃(3 σ)的亚1 V电容偏置BJT温度传感器
相关领域
双极结晶体管
电容器
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电容
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期刊:IEEE Journal of Solid-state Circuits 作者:Zhong Tang; Sining Pan; Miloš Grubor; Kofi A. A. Makinwa 出版日期:2023-12-01 |
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