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标题
Understanding and Mitigating Stress Memorization Technique of Induced Layout Dependencies for NMOS HKMG Device
NMOS HKMG器件诱导布局依赖性的理解和缓解应力记忆技术
相关领域
NMOS逻辑 记忆 压力（语言学） 材料科学 依赖关系（UML） 扩散 逻辑门 过程（计算） 金属浇口 电子工程 沟槽 计算机科学 光电子学 电气工程 栅氧化层 工程类 晶体管 人工智能 纳米技术 图层（电子） 数学 物理 语言学 哲学 数学教育 电压 热力学 操作系统
网址
https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6245494/9359727/09235562.p...
AI链接 ieee.org ieee.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1109/jeds.2020.3032957 doi
其它 期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society
作者：Ying-Fei Wang; Qing‐Chun Zhang; Ping Li; Xiaojing Su; Lisong Dong; et al
出版日期：2020-10-22
求助人
Guoomeng 在 2025-08-04 23:03:48 发布，悬赏 10 积分
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  • 4小时前

    Guoomeng Guoomeng Lv5 求助人 发起了本次求助

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