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标题
High Performance and Yield for Super Steep Retrograde Wells (SSRW) by Well Implant / Si-based Epitaxy on Advanced Technology FinFETs
在先进技术FinFETs上通过阱注入/Si基外延实现超陡逆行阱（SSRW）的高性能和产量
相关领域
材料科学 光电子学 环形振荡器 掺杂剂 跨导 可扩展性 兴奋剂 外延 频道（广播） 电子工程 晶体管 纳米技术 计算机科学 电气工程 CMOS芯片 工程类 图层（电子） 电压 数据库
网址
https://doi.org/10.1109/drc46940.2019.9046440
DOI
10.1109/drc46940.2019.9046440 doi
其它 期刊：
作者：Uzma Rana; D.P. Brunco; Sanjay Raman; Dina H. Triyoso; M. W. Stoker; et al
出版日期：2019-06-01
求助人
一路生花 在 2025-12-31 13:16:45 发布自中国，悬赏 10 积分
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