Demonstration of 420GHz highly scaled InAlN/GaN HEMTs by Electron Beam Lithography

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标题	Demonstration of 420GHz highly scaled InAlN/GaN HEMTs by Electron Beam Lithography 用电子束光刻演示420GHz高比例InAlN/GaN HEMT 相关领域蓝宝石高电子迁移率晶体管晶体管光电子学放大器平版印刷术材料科学电子束光刻氮化镓物理纳米技术 CMOS芯片光学抵抗量子力学电压图层（电子）激光器
网址	https://doi.org/10.1109/iwaps60466.2023.10366124
DOI	10.1109/iwaps60466.2023.10366124 doi
其它	期刊：作者：Jiaheng He; Zhe Cheng; Chengcheng Li; Shujie Xie; Xuankun Wu; et al 出版日期：2023-10-26
求助人	cooper 在 2025-05-16 17:04:07 发布自山西，悬赏 10 积分
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