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 SiC Double Trench MOSFET with Split Gate and Integrated Schottky Barrier Diode for Ultra-Low Power Loss and Improved Short-Circuit Capability SiC双沟槽MOSFET，具有分离栅极和集成肖特基势垒二极管，可实现超低功率损耗和改进的短路能力
相关领域
材料科学
沟槽
MOSFET
光电子学
肖特基势垒
肖特基二极管
二极管
双闸门
电气工程
纳米技术
工程类
晶体管
电压
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Chinese Journal of Electronics 作者：Jinping Zhang; Qinglin Wu; Zixun Chen; Hua Zou; Bo Zhang 出版日期：2024-09-01 |
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