(Invited) Epitaxial Process Development and Challenges for Advanced SiGe BiCMOS

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标题	(Invited) Epitaxial Process Development and Challenges for Advanced SiGe BiCMOS （特邀）先进SiGe BiCMOS的外延工艺发展与挑战相关领域比克莫斯外延过程开发材料科学过程（计算）工程物理计算机科学光电子学纳米技术工程类电气工程过程管理晶体管操作系统图层（电子）电压
网址	https://doi.org/10.1149/11402.0093ecst
DOI	10.1149/11402.0093ecst doi
其它	期刊：ECS Transactions 作者：Fabien Deprat; Jérémy Vives; Alexis Gauthier; Marvin Frauenrath; Justine Lespiaux; et al 出版日期：2024-09-27
求助人	辉呀呀呀在 2025-06-18 10:42:31 发布自中国，悬赏 10 积分
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