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Ferroelectricity of Hf$_{\text{0.5}}$Zr$_{\text{0.5}}$O$_{\text{2}}$ Thin Film Induced at 350 $^{\circ}$C by Thermally Accelerated Nucleation During Atomic Layer Deposition
Hf$_{\text{0.5}}$Zr$_{\text{0.5}}$O$_{\text{2}}$薄膜在350$^{\circ}$C原子层沉积过程中通过热加速成核诱导的铁电性
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期刊:I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者:Jaewook Lee; Se Hyun Kim; Hyojun Choi; Hyun Woo Jeong; Kyounghoon Yang; et al 出版日期:2024-01-01 |
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