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 Suppression of Defects and Deep Levels Using Isoelectronic Tungsten Substitution in Monolayer MoSe2 用等电子钨取代抑制单层MoSe2中的缺陷和深能级
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Xufan Li; Alexander A. Puretzky; Xiahan Sang; Santosh KC; Mengkun Tian; et al 出版日期：2016-10-31 |
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