| 标题 |
 Impact of postdeposition annealing upon film properties of atomic layer deposition-grown Al2O3 on GaN 沉积后退火对GaN上原子层沉积生长Al2O3薄膜性能的影响
相关领域
材料科学
形成气体
退火（玻璃）
原子层沉积
电介质
异质结
光电子学
薄膜
宽禁带半导体
分析化学（期刊）
氧化物
栅极电介质
晶体管
纳米技术
电压
复合材料
冶金
电气工程
化学
工程类
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Annett Winzer; Nadine Szabó; Andre Wachowiak; Paul M. Jordan; Johannes Heitmann; et al 出版日期：2014-12-29 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
OK
张欢馨
AllRightReserved
Moonpie
贪玩的秋柔
Nexus
Starwalker
Ethan
房延彤
GingerF
pcr163
火星上的菲鹰
ZeKaWa
qingfengpu
科研狗
学术文献互助
Belikov
畔畔
8R60d8
皖公网安备34019202002308
