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 Impact of postdeposition annealing upon film properties of atomic layer deposition-grown Al2O3 on GaN 沉积后退火对GaN上原子层沉积生长Al2O3薄膜性能的影响
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Annett Winzer; Nadine Szabó; Andre Wachowiak; Paul M. Jordan; Johannes Heitmann; et al 出版日期：2014-12-29 |
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