标题 |
Systematic Design and Parametric Analysis of GaN Vertical Trench MOS Barrier Schottky Diode With p-GaN Shielding Rings
相关领域
材料科学
光电子学
肖特基二极管
兴奋剂
二极管
肖特基势垒
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宽禁带半导体
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PIN二极管
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其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Sihao Chen; Hang Chen; Yingbin Qiu; Chao Liu 出版日期:2021 |
求助人 |
xulin 在
2021-12-17 10:34:15 发布,悬赏 10 积分
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