| 标题 |
 Performance Improvement of 1T DRAM by Raised Source and Drain Engineering 相关领域
德拉姆
材料科学
光电子学
动态随机存取存储器
电气工程
晶体管
电容
电压
电子工程
电容器
MOSFET
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| 网址 | |
| DOI |
10.1109/TED.2021.3056952
doi
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Md. Hasan Raza Ansari; Seongjae Cho 出版日期：2021 |
| 求助人 |
研友_pLw6o8 在
2021-05-13 08:14:44 发布，悬赏 10 积分
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