Predicting the miniaturization limit of vertical organic field effect transistor (VOFET) with perforated graphene as a source electrode

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标题	Predicting the miniaturization limit of vertical organic field effect transistor (VOFET) with perforated graphene as a source electrode 多孔石墨烯源极垂直有机场效应晶体管（VOFET）小型化极限的预测相关领域材料科学光电子学小型化电极晶体管石墨烯半导体信道长度调制场效应晶体管电压纳米技术电气工程化学工程类物理化学
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6528/ad0242
DOI	10.1088/1361-6528/ad0242 doi
其它	期刊：Nanotechnology 作者：Gaurav Shukla; Ramesh Singh Bisht; Pramod Kumar 出版日期：2023-10-11
求助人	翟函在 2023-12-18 17:17:00 发布自北京，悬赏 10 积分
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