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Novel gate air cavity GaN HEMTs design for improved RF and DC performance
改善射频和直流性能的新型栅气腔GaN HEMTs设计
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期刊:Results in physics 作者:Z. Huang; Huiqin Sun; Xiao Ding; Penglin Wang; Yuan Li; et al 出版日期:2021-10-01 |
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